Interested Article - Инжекция
- 2020-05-21
- 1
Инжекция — физическое явление, наблюдаемое в полупроводниковых гомо - и гетеропереходах , при котором при пропускании электрического тока в прямом направлении через p-n-переход в прилежащих к переходу областях создаются высокие концентрации неравновесных («инжектированных») носителей заряда . Явление инжекции является следствием уменьшения высоты потенциального барьера в p-n-переходе при подаче на него прямого напряжения.
Явление инжекции лежит в основе работы многих полупроводниковых приборов : диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, инжекционно-пролетных диодов, светодиодов и полупроводниковых инжекционных лазеров.
Особенностью явления инжекции в гетеропереходах является возможность наблюдения явления суперинжекции , при котором концентрация инжектированных носителей может превышать концентрацию легирующих примесей в области, из которой идет инжекция. Это явление принципиально важно для работы полупроводниковых инжекционных лазеров .
Инжекция в p-n-переходе
При достаточно высокой температуре, когда примесные атомы практически полностью ионизованы, в n-области , легированной донорами с концентрацией N d , концентрация основных носителей ( электронов ) равна n n ≈ N d . Так как в невырожденном полупроводнике концентрации электронов n и дырок p связаны соотношением n·p = n i 2 , где n i — собственная концентрация носителей заряда, концентрация неосновных носителей (дырок) в n-области равна p n = n i 2 / n n , причём n n ≫ n i ≫ p n .
В области p-типа, легированной акцепторами с концентрацией N a , концентрация дырок равна p p ≈ N a , в то же время концентрация электронов n p = n i 2 / p p , при этом выполняется соотношение p p ≫ n i ≫ n p .
Распределение концентраций электронов и дырок в p-n-переходе в отсутствие тока показано на рисунке справа. Как видно, концентрация дырок в дырочной области p p (основные носители) постоянна и велика. В переходной области она уменьшается на много порядков и принимает малое значение p n в n-области (неосновные носители). Аналогично, концентрация электронов изменяется от большого значения n n в n-области до малой величины n p в p-области.
В состоянии равновесия (при нулевом напряжении смещения) высота потенциального барьера V bi устанавливается такой, что потоки носителей заряда, протекающие через p-n-переход в обоих направлениях, точно скомпенсированы. Например, поток электронов, движущихся из n- в p-область за счет диффузии и преодолевающих потенциальный барьер, равен потоку неосновных электронов, которые генерируются в p-области и, подходя к p-n-переходу, затягиваются электрическим полем в n-область. То же справедливо и для дырок.
Если теперь на p-n-переход подать напряжение смещения, то равновесие нарушится, потоки окажутся нескомпенсированными и через переход потечёт электрический ток . При этом значение тока будет зависеть от знака приложенного напряжения.
Рассмотрим, что будет происходить с диффузионным и дрейфовым токами, если к p-n-переходу приложить положительное внешнее смещение. При U>0 дырки из p-области устремятся в n-область, где они станут неосновными носителями. Так как p p > p n , эти дырки будут рекомбинировать с электронами. Однако вследствие конечности времени жизни дырок τ p , рекомбинация произойдёт не сразу, поэтому в некоторой области за пределами перехода концентрация дырок будет оставаться больше p n . Одновременно с этим увеличится и концентрация электронов в n-области, так как дополнительные электроны войдут из электрода для компенсации объёмного заряда пришедших дырок. Аналогичным образом электроны будут переходить в p-область, становясь там неосновными носителями, и постепенно рекомбинировать с дырками. Поэтому и слева от перехода концентрация электронов увеличится, а также увеличится и концентрация дырок, которые войдут из левого электрода для компенсации объёмного заряда электронов.
Таким образом, инжекция заключается в увеличении концентрации носителей обоих типов по обе стороны от перехода, то есть в возникновении квазинейтральных областей повышенной проводимости .
Примечания
- ↑ Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. — Москва: Наука, 1977. — С. 174, 259.
Литература
- Зюганов А. Н., Свечников С. В. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках. — Киев: Наукова думка, 1981. — 256 с.
- Бонч-Бруевич В. Л. , Калашников С. Г. Физика полупроводников. — Москва:Наука, 1977.
- . — Физматлит Москва, 2008. — 488 с. — ISBN 978-5-9221-0995-6.
- 2020-05-21
- 1