Евге́ний Серге́евич Го́рнев (род. 4 августа 1943 года ) — советский и российский учёный, специалист в области микро- и наноэлектроники, метрологического обеспечения измерений длины в микрометровом и нанометровом диапазонах. Заместитель руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям, АО « НИИ молекулярной электроники » (НИИМЭ). Доктор технических наук, профессор, член-корреспондент РАН (2019), лауреат Государственной премии СССР и премии Правительства РФ в области науки и техники (дважды).

Биография

Родился 4 августа 1943 года.

В 1966 году окончил радиофизический факультет Харьковского государственного университета .

С 1966 по настоящее время работает в АО "НИИ молекулярной электроники" (НИИМЭ), пройдя путь от инженера до первого заместителя директора НИИ. В настоящее время занимает должность заместителя руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям АО "НИИМЭ".

В 1967 году входил в состав коллектива, разработавшего интегральную микросхему (ИС) токового ключа «Иртыш» (101КП1), с которой начинались все каталоги советских ИС.

15 ноября 2019 года избран член-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий .

Научная деятельность

Специалист в области микро- и наноэлектроники, метрологического обеспечения измерений длины в микрометровом и нанометровом диапазонах.

Автор и соавтор более 300 научных работ, из них 3-х учебных пособий, и 42 авторских свидетельств и/или патентов.

Основные достижения:

• обобщил, научно обосновал и разработал технические решения для создания современного микроэлектронного производства, на основе чего создал модель промышленной субмикронной технологии как системы и систему управления микроэлектронным производством;
• под его руководством и с его непосредственным участием разработаны решения многовариантной технологии КМОП, биполярных и БиКМОП на базе универсального маршрута, с достоинствами биполярных и КМОП микросхем;
• создана система управления на основе мониторинга техпроцесса, контроля дефектности и методов статрегулирования;
• исследованы, обоснованы и созданы методы контроля линейных размеров элементов СБИС микро- и нанометрового диапазонов с созданием универсальной линейной меры мирового уровня;
• создано, модернизировано и внедрено более 40 различных вариантов технологий, разработаны с одновременной постановкой на производство в процессе ОКР более 50 типов микросхем, модернизировано более 100 типов, организовано производство 87 серий микросхем, в том числе в Польше;
• разработана и освоена промышленная технология сегнетоэлектрических плёнок для микро- и наносистемной техники и изделий на их основе, изделий пьезотехники, акустоэлектроники, совместимых с технологиями микро- и наноэлектроники и МЭМС.

Вел преподавательскую деятельность в МИЭТ, МИРЭА.,В настоящее время — профессор и заместитель заведующего базовой кафедры «микро- и наноэлектроника» МФТИ .

Член редколлегии журналов «Микроэлектроника», «Микро- и наносистемная техника», «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника».

Член научного Совета «Квантовые технологии» при президиуме РАН и научного Совета «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных систем и материалов для её создания» ОНИТ РАН , председатель 4-х диссертационных советов МФТИ , член диссертационного совета Д 002.081.01.

Награды и премии

• Государственная премия СССР (1986)
• премия Правительства РФ в области науки и техники (2004,2019)
• орден Почёта (5 февраля 2024 года) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук ,
• орден  Дружбы народов (1982),
• золотая медаль ВДНХ ,
• медаль международного смотра НТТМ,
• нагрудный знак «Почетный работник электронной промышленности»
• нагрудный знак «Отличник соцсоревнования электронной промышленности»
• медаль лауреата Всероссийского конкурса « Инженер года »  (2001 г.).

Примечания

Ссылки

• на официальном сайте РАН