Interested Article - Квон, Зе Дон

Зе Дон (Дмитрий Харитонович) Квон (род. 3 ноября 1950 года) — советский и российский учёный- физик , специалист в области физики конденсированного состояния , член-корреспондент РАН (2022).

Биография

Родился 3 ноября 1950 года в поселке Быков Долинского района Сахалинской области.

В 1973 году — окончил физический факультет Новосибирского государственного университета, а в 1978 году — аспирантуру Института физики полупроводников имени А. Ф. Иоффе РАН

Работает в Институте физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН , с 1998 года — заведующий лабораторией физики и технологии структур на основе полупроводников А ₃ В ₅ .

В 1980 году — защитил кандидатскую диссертацию, тема: «Исследование свойств инверсионных каналов в германиевых МДП-структурах».

В 1992 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Квантовые явления в тонких полупроводниковых слоях и микроструктурах на их основе».

С 1984 года — одновременно ведет преподавательскую деятельность в НГУ, с 1993 года — профессор кафедры полупроводников.

В 2022 году — избран членом-корреспондентом от Отделения физических наук РАН .

Научная деятельность

З. Д. Квон является специалист в области физики конденсированного состояния. Его основная сфера научных интересов связана с изучением квантовых свойств низкоразмерных электронных систем и наноструктур .

Вклад З. Д. Квона в исследования физики конденсированного состояния описываются, но не исчерпываются следующими темами: интерференционные эффекты в системах с сильным спин-орбитальным взаимодействием , подавление слабой локализации микроволновым полем, стохастическая динамика двумерных электронов , мезоскопический фотогальванический эффект и мезоскопическая термоэдс, осцилляции Ааронова — Бома в сверхмалых полупроводниковых интерферометрах, обусловленное отрицательное магнитосопротивление, эффекты близости и андреевское отражение в мезоскопических переходах сверхпроводник-нормальный металл-сверхпроводник, двумерного топологического изолятора , осцилляции магнитосопротивления, индуцированные терагерцовым излучением, в трехмерном топологическом изоляторе .

Под руководством З. Д. Квона впервые определены величина рашбовского спинового расщепления в двумерных электронных системах без центра инверсии, созданы и исследованы новые разновидности твердотельных и обнаружены устойчивые электронные траектории и фрактальной структура их фазового пространства. В его лаборатории в Институте физики полупроводников в Новосибирске исследованы состояния двумерного полуметалла в HgTe квантовых ямах и Андерсоновская локализации в двумерной электронно-дырочной системе, двумерные и трёхмерные топологические изоляторов на основе HgTe и на основе этого впервые наблюдались различные сценарии Андерсоновской локализации, а также явления, связанные с жесткой связью спина и электрона .

Награды

Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (5 февраля 2024 года) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук .