Interested Article - Лукичев, Владимир Фёдорович

Владимир Федорович Лукичев (род. 12 ноября 1954 года ) — советский и российский физик , специалист в области элементной базы вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем, член-корреспондент РАН (2011).

Биография

Родился 12 ноября 1954 года.

В 1972 году — окончил физико-математическую школу-интернат № 18 имени А. Н. Колмогорова .

В 1978 году — окончил физический факультет МГУ .

В 1983 году — защитил кандидатскую, а в 1997 году — докторскую диссертацию.

С 1988 года — работает в Физико-технологическом институте Российской Академии Наук, с апреля 2005 года — заместитель директора по научной работе, с мая 2017 года — директор института

В 2011 году — избран членом-корреспондентом РАН ( отделение нанотехнологий и информационных технологий секция вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем и элементной базы).

Научная деятельность

Основные научные результаты:

получены граничные условия (Куприянова-Лукичева) для квазиклассических неравновесных функций Грина, обобщение которых позволяет рассчитывать параметры структур на основе высокотемпературных сверхпроводников, джозефсоновских переходов с прослойкой из ферромагнетиков, а также многозонных сверхпроводников, таких как MgB2;
разработана многокомпонентная модель реактивного ионного травления (РИТ) кремниевых микро- и наноструктур, исследованы предельные возможности РИТ, ограниченные апертурным эффектом, действием краевых полей и силами изображения;
дано теоретическое обоснование апертурного эффекта, предсказан обратный апертурный эффект в процессах РИТ, что используется в проектировании интегральных схем; оптимизированы параметры технологического процесса глубокого анизотропного травления кремния с аспектными отношениями более 100, что используется при разработке и создании кремниевых микроэлектромеханических элементов для авиационных навигационных систем;
разработана модель плазменно-иммерсионной ионной имплантации для формирования сверхмелкозалегающих р-п переходов, что позволило получить р-п переходы с глубиной залегания до 10 нм для создания кремниевых нанотранзисторов и твердотельных квантовых компьютеров.

Автор более 70 научных публикаций.

Ведет преподавательскую деятельность в должности заведующего кафедрой полупроводниковых приборов Московского института радиотехники, электроники и автоматики .

Под его руководством защищены 1 докторская и 1 кандидатская диссертации.

Ответственный секретарь журнала «Микроэлектроника», заместитель председателя диссертационного совета, член экспертного совета ВАК при Минобрнауки России по электронике.

Научные публикации

Куприянов, М.Ю. Температурная зависимость критического тока сверхпроводников / Куприянов М.Ю., Лукичев В.Ф. // ФНТ, 1980, т.6, №4 с. 445-453.
Куприянов, М.Ю. Влияние эффективного взаимодействия электронов на критический ток джозефсоновских слабых связей / Куприянов М.Ю., Лихарев К.К., Лукичев В.Ф. // ЖЭТФ, 1982, т.83, вып.7, с. 431-441.
Куприянов, М.Ю. Влияние прозрачности границ на критический ток «грязных» SS’S структур / Куприянов М.Ю., Лукичев В.Ф. // ЖЭТФ, 1988, т.94, вып.6, с.139-149.
Lukichev, V.F Experimental study and computer simulation of aspect ratio dependent effeсts observed in silicon reactive ion etching / Lukichev V.F., Rudenko K.V., Fischer D., Voges E., Yunkin V.A. // Microelectronic Engineering. 1996. Т. 30. № 1-4. С. 345-348.
Lukichev, V.F. A New approach to aspect ratio independent etching // Microelectronic Engineering. 1998. Т. 41-42. С. 423-426.
Lukichev, V.F. Etch rate scaling and profile similarity upon plasmochemical etching / Lukichev V.F., Yunkin V.A. // Russian Microelectronics. 1998. Т. 27. № 3. С. 194-203.
V’yurkov V. V. , S. D. Ananiev, and V. F. Lukichev. Strong Influence of Surface Scattering on the Electron Transport through Magnetic Multilayers. Russian Microelectronics, 2005, V. 34, P. 339–343 (2005).
Shumilov, A.S. Simulating the chlorine plasma etching profile of high-aspect-ratio trenches in Si / Shumilov A.S., Amirov I.I., Luckichev V.F. // Russian Microelectronics. 2017. Т.46. №5. С. 301-308.
Asadov, S.M. Charge Transport in Layer Gallium Monosulfide in Direct and Alternate Electric Fields / Asadov, S.M., Mustafaeva, S.N., Lukichev, V.F. // Russian Microelectronics – V.48 (6) – 2019 – pp. 422-427.
Uvarov, I.V. Calculation of Performance of MEMS-Switch with Increased Capacitance Ratio / Uvarov I.V., Marukhin N.V., Shlepakov P.S., Lukichev V.F. // Russian Microelectronics, v. 49, pages 253–262 (2020).