Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора . Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1,34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов , диодов Ганна . Твёрдые растворы на основе InP используются для создания светодиодов , лазерных диодов , лавинных фотодиодов .

По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия .

Ссылки

В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску ). Информация должна быть проверяема , иначе она может быть удалена. Вы можете статью, добавив ссылки на авторитетные источники в виде сносок . ( 19 июня 2018 )