Колоссальное магнитное сопротивление , КМС ( англ. Colossal magnetoresistance , CMR ) — квантовомеханический эффект, заключающийся в сильной зависимости электрического сопротивления материала от величины внешнего магнитного поля . Термин применяется в отношении некоторых ферромагнитных и антиферромагнитных полупроводников , обычно оксидов металлов на базе манганитов со структурой перовскита , в отличие от подобного явления в многослойных плёнках — эффект гигантского магнетосопротивления .

Математическая формулировка

Магнетосопротивлением называют зависимость электрического сопротивления образца от величины приложенного внешнего магнитного поля . Математически его записывают в виде

${\displaystyle \delta _{H}={\frac {\rho (H)-\rho (0)}{\rho (H)}},}$

где ${\displaystyle \rho (H)}$ — удельное сопротивление образца в магнитном поле напряженностью ${\displaystyle H}$ . На практике также применяются альтернативные формы записи, отличающиеся знаком выражения и использующие интегральное значение сопротивления (то есть полное электрическое сопротивление образца, а не его удельное значение) . Термин колоссальное магнетосопротивление используется для отличия от гигантского , наблюдающегося в пленочных структурах, но так же характеризующегося большими величинами ${\displaystyle \delta _{H}}$ в сравнении с анизотропным магнетосопротивлением .

Материалы

• La _0,67 Ca _0,33 Mn O _y : ${\displaystyle \delta _{H}=127000\%}$ при температуре 77 К и ${\displaystyle \delta _{H}=1300\%}$ при комнатной температуре
• ( Y ,Ca)MnO ₃
• Eu Te
• Eu Se : ${\displaystyle \delta _{H}\sim 10^{11}\%}$ при гелиевых температурах

См. также

• Анизотропное магнитное сопротивление
• Гигантское магнитное сопротивление
• Туннельное магнитное сопротивление
• Спинтроника

Примечания

Ссылки