Interested Article - Институт сильноточной электроники СО РАН

Институт сильноточной электроники СО РАН — один из институтов Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук . Расположен в Томском академгородке .

Из-за вторжения России на Украину институт находится под санкциями всех стран Евросоюза , США , Японии , Украины и Швейцарии .

Общие сведения

Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы .

Разработки

В 1977 г. в НИИ были созданы мощные компактные генераторы линейно поляризованных однонаправленных пучков сверхширокополосного электромагнитного излучения с наносекундной и субнаносекундной длительностью импульса. Разработка была осуществлена в рамках исследования действия сверхмощных гига- и тераваттных электрических импульсов на электронную аппаратуру .

История

Институт был создан в 1977 году в Томском академгородке .

Директора

Институт возглавляли :

Структура

  • Отдел импульсной техники — заведующий лабораторией и затем отделом по настоящее время доктор технических наук, академик РАН Ковальчук, Борис Михайлович
  • Отдел высоких плотностей энергии (основатель и первый руководитель лаборатории и отдела Лучинский, Андрей Владимирович )
  • Отдел физической электроники
  • Лаборатория плазменной эмиссионной электроники (заведующие: П. М. Щанин, до мая 2001 года, а затем Н. Н. Коваль)
  • Лаборатория высокочастотной электроники (с 1977 по 1986 год руководил академик С. П. Бугаев , а затем доктор физматнаук В. И. Кошелев)
  • Лаборатория вакуумной электроники
  • Лаборатория газовых лазеров
  • Лаборатория оптических излучений
  • Лаборатория низкотемпературной плазмы
  • Лаборатория прикладной электроники
  • Лаборатория теоретической физики
  • Лаборатория плазменных источников
  • Конструкторско-технологический отдел
  • Группа автоматизации научных исследований

Дирекция

См. также

Примечания

  1. . Дата обращения: 9 октября 2010. 30 марта 2017 года.
  2. от 30 ноября 2009 на Wayback Machine История Института сильноточной электроники СО РАН]
  3. . Дата обращения: 15 января 2023. 3 июня 2022 года.
  4. . Белсат . Дата обращения: 15 января 2023.
  5. . ПРАВО . Дата обращения: 15 января 2023. 15 января 2023 года.
  6. . Война и санкции . Дата обращения: 15 января 2023. 15 января 2023 года.
  7. . Дата обращения: 9 октября 2010. 2 марта 2014 года.
  8. Гуревич В. И. «Микропроцессорные реле защиты. Устройства. Проблемы. Перспективы.» «Инфра-Инженерия», 2011 г.
  9. . Дата обращения: 9 октября 2010. 28 октября 2009 года.
  10. . Дата обращения: 24 октября 2018. 24 октября 2018 года.
  11. . Дата обращения: 9 октября 2010. 28 октября 2009 года.
  12. . Дата обращения: 9 октября 2010. 28 октября 2009 года.
  13. . Дата обращения: 9 октября 2010. 18 апреля 2009 года.

Ссылки

Источник —

Same as Институт сильноточной электроники СО РАН