Алекса́ндр Алекса́ндрович Ле́бедев (род. 1959 , СССР) — советский и российский физик -экспериментатор. Специализируется на изучении физических свойств карбида кремния и других широкозонных полупроводников , разрабатывает приборы на основе таких материалов. Автор более 300 научных трудов по данной тематике. В настоящее время заведует лабораторией и Отделением в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН , гор. Санкт-Петербург . Доктор физико-математических наук, профессор.

Биография, карьера

Родился в 1959 году. Сын и полный тёзка (1929—1999), физика, доктора наук, всю жизнь проработавшего в ФТИ. Мать Лебедева-младшего, Майя Августовна (1929—2003), — кандидат наук, также сотрудница ФТИ. Дед по отцу, Александр Алексеевич (1893–1969), — учёный-оптик, сотрудник ГОИ , академик АН СССР .

По окончании обучения в ЛЭТИ принят на работу в ФТИ в лабораторию, возглавлявшуюся тогда В. Е. Челноковым . Появился в институте ещё студентом (как практикант в лаборатории И. В. Грехова ). В свои первые трудовые годы активно взаимодействовал с отцом, вместе они опубликовали несколько статей. В Физтехе Лебедев прошёл все ступени служебной лестницы от старшего лаборанта до заведующего лабораторией и одновременно Отделением твердотельной электроники. Стал доктором физико-математических наук .

Параллельно с научной работой, преподавал в СПбГЭТУ . Сейчас занимает там должность профессора кафедры оптоэлектроники.

В 2019 году был одним из трёх претендентов на пост директора ФТИ РАН .

Лауреат премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в 2020 году: в номинации физика и астрономия — премия им. А. Ф. Иоффе (Постановление Правительства Санкт-Петербурга от 21.12.2020 № 1115) за исследование электрофизических свойств карбида кремния и разработку приборов на его основе .

Научная деятельность

Лебедев — специалист в области физики, технологии и приборных применений широкозонных полупроводников, в первую очередь карбида кремния . При его участии :

• разработана технология эпитаксии слоёв SiС с заданными параметрами, при этом впервые для исследования широкозонных полупроводников применён метод ;
• доказана возможность работы приборов на основе SiC при температурах свыше 800 ⁰ C и уровнях излучения на два порядка больших, чем предельные значения для кремниевых приборов с теми же рабочими параметрами;
• создан новый тип гетеропереходов — между двумя кристаллическими модификациями одного и того же полупроводникового материала;
• предложена технология формирования графена термодеструкцией поверхности SiC, исследованы свойства полученных плёнок и изготовлены газовые и био- сенсоры на их основе.

Автор более 300 публикаций, в том числе монографии и 6 авторских свидетельств и патентов .

В сотрудничестве лаборатории Лебедева с ПАО « Светлана-Электронприбор » разработана и внедрена технология изготовления высокочастотных SiC p-i-n диодов , а также организовано производство монокристаллов SiC.

Преподавание, оргработа

Подготовил трёх кандидатов наук.

Входит в состав двух диссертационных советов , является членом редколлегии журнала "Advanced Materials Letters".

Член научного совета РАН «Радиационная физика твердого тела» с 2020 года . Член экспертного совета РНФ , координатор секции: физика и науки о космосе .

Состоит в программных комитетах ряда международных конференций по физике карбида кремния и родственных материалов .

Примечания

Источники и ссылки

• на математическом портале Math-Net.Ru